[发明专利]一种形貌可控的二氧化硅纳米阵列及其制备方法和应用

摘要

本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种形貌可控的二氧化硅纳米阵列及其制备方法和应用。本发明提供的二氧化硅纳米阵列，其阵列高度为8‑46 nm，分布密度为210‑3100/μm2。该纳米阵列的制备是采用油/水双相的单胶束外延生长方法，以CTAB为结构导向剂，TEOS为前驱体，NaOH为催化剂，在基片表面形成硅纳米阵列；基片可以是玻璃片、硅片、玻璃棒、玻璃管、微流控芯片等。二氧化硅纳米阵列可赋予基底粗糙的表面结构，增强基底与肿瘤细胞与该生物界面之间的相互作用。与光滑硅层修饰的基底相比，细胞粘附能力显著提高。由表面生长二氧化硅纳米阵列的玻璃棒和玻璃管嵌套组成的装置，可用于全血中分离肿瘤细胞。