[发明专利]一种突触晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110191424.0 | 申请日： | 2021-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN113013248B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李俊;伏文辉;张志林;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H02N1/04 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵晓琳 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种突触晶体管及其制备方法，属于突触晶体管技术领域。本发明提供的突触晶体管结构中栅极将绝缘层和有源层包裹起来，使得栅极电压能从各个方向对沟道电流进行控制，从而减小了沟道漏电流，降低了器件的功耗；本发明提供的突触晶体管与摩擦纳米发电机相结合，在使用时，外力按压基板，使得易失电子层和易得电子层发生相对滑动，摩擦发电，栅极存在了电信号，随着外力继续按压，漏电极与有源层接触，电路导通，沟道有电信号通过，实现了突触晶体管的自发电，进一步降低了器件的功耗。实验结果表明，本发明提供的突触晶体管的开关电流比为10 |
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| 搜索关键词： | 一种 突触 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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