[发明专利]单粒子翻转截面测试方法、装置、电子设备及存储介质在审
| 申请号： | 202110183057.X | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN114912334A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 刘凡宇;张军军;李博;滕瑞;刘海南;赵发展 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/25 | 分类号： | G06F30/25 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单粒子翻转截面测试方法、装置、电子设备及存储介质，应用于三维集成静态随机存储器SRAM，所述方法包括：获取目标SRAM的结构模型，结构模型包括多个堆叠层；对结构模型进行粒子辐照仿真，得出入射粒子在结构模型中每个堆叠层沉积的能量及粒子电离半径，其中，粒子电离半径为粒子入射到每个堆叠层时产生的经迹的半径；再确定每个堆叠层的灵敏区大小；根据目标SRAM的结构模型和每个堆叠层的灵敏区大小，得到目标SRAM仿真模型；对目标SRAM仿真模型进行粒子辐照仿真，确定目标SRAM在粒子辐照下存在的翻转位数i，以及发生i位翻转的事件数量，基于翻转位数i以及发生i位翻转的事件数量，得到目标SRAM的单粒子翻转截面大小。 | ||
| 搜索关键词： | 粒子 翻转 截面 测试 方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110183057.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：换热器、电控盒及空调系统
- 下一篇：用于指引乘车人登车的系统和方法
