[发明专利]一种源栅间接电连接的先进二极管封装结构有效
| 申请号： | 202110177369.X | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN112992834B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 刘静;黄健;孙闫涛;顾昀浦;宋跃桦;吴平丽;张楠 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电（上海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 广州京诺知识产权代理有限公司 44407 | 代理人： | 于睿虬 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种源栅间接电连接的先进二极管封装结构，包括半导体器件芯片、阴极金属片、阳极金属片、塑封体；半导体器件芯片的第一表面设置有源极焊盘和栅极焊盘；半导体器件芯片的第二表面设置有漏极焊盘；半导体器件芯片的源极和栅极未直接短接；当所述源极焊盘和栅极焊盘直接短接时，半导体器件芯片为一MOS型先进二极管；源极焊盘、栅极焊盘分别通过电连接件与阳极金属片键合。本发明利用封装电连接电阻，在先进二极管正向工作时，在源极和栅极之间引入一个额外的压降，促进沟道开启，从而在维持漏电流I |
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| 搜索关键词： | 一种 间接 连接 先进 二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
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