[发明专利]一种氧化镓X射线探测器及其制备方法在审
申请号: | 202110176376.8 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN112993085A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 齐红基;王超;赛青林;田瑞丰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/115;H01L31/0224;C23C14/04;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/30;C23C14/35;C30B13/00;C30B15/34;C30B29/16;C30B33/02 |
代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 张宁展 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种氧化镓X射线探测器及其制备方法,氧化镓X射线探测器的制备方法包括步骤:提供氧化镓单晶;对所述氧化镓单晶进行切割处理得到单晶基体片;对所述单晶基体片进行退火处理得到退火的单晶基体片;在所述退火的单晶基体片上形成叉指电极得到氧化镓X射线探测器。本发明采用氧化镓单晶,并将氧化镓单晶切割后得到单晶基体片,并对单晶基体片进行退火处理,通过退火处理降低氧化镓单晶中自由电子浓度,使得氧化镓X射线探测器在电压下更快响应,缩短了响应时间。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化 射线 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的