[发明专利]一种M位二元的MAX相材料、其制备方法及应用

摘要

本发明公开了一种M位二元的MAX相材料、其制备方法及应用。所述MAX相材料的分子式表示为(Mx,M′y)n+1AXn，0x1,0y1，x+y＝1，其中M、M′分别为Ta、Sc、Hf、V、Nb、Mo、Zr、Cr、Ti、Mn或Y元素，且M与M′不相同，A为Sn、Al、Zn、Cu、Ge、Cd、Ga、In、Pb、S、Si或P元素，X为C和/或N元素，n为1、2、3或4。本发明无繁琐工艺易实现，组分可根据需求与应用调控相关元素，既扩充了MAX相材料体系成员，也为获得更多的M位二元的二维MXenes材料提供了可能，且该MAX相材料超高温、生物医学和能源等领域有潜在应用前景。