[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110170985.2 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN113257751A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 咲间光广 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供半导体装置，能够减少从密封树脂向半导体元件施加的应力。在裸片焊盘(5)上搭载有半导体元件(1)，配置于半导体元件(1)的表面的外周的电极焊盘(6)与引线(4)经由导线(3)而电连接，半导体元件(1)、裸片焊盘(5)和引线(4)由密封树脂(2)覆盖。在半导体元件(1)中具有对应力的灵敏度高的元件区域(1a)和对应力的灵敏度相对低的元件区域(1b)，在位于对应力的灵敏度高的元件区域(1a)的上方的密封树脂(2)的表面设置有凹部(61)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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