[发明专利]一种双异质结极化增强的准纵向GaN HEMT器件有效
| 申请号： | 202110169319.7 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112909077B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;郗路凡;魏杰;孙涛;邓思雨;贾艳江;廖德尊;张成 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种双异质结极化增强的准纵向GaN HEMT器件。本发明相对于传统的GaN HEMT，采用P型GaN层提高二维空穴气浓度，耐压时双异质结界面处的二维电子气和空穴气分别耗尽，留下极性相反的固定极化电荷，电场线由正电荷指向负电荷，得到准矩形分布的横向电场；零偏时P型GaN层与二维空穴气共同阻断器件的纵向沟道，当P型GaN层被耗尽产生反型层且二维空穴气被耗尽时器件正常导通。本发明的有益效果为，相比于传统HEMT器件，本发明具有高阈值电压及高击穿电压的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双异质结 极化 增强 纵向 gan hemt 器件 | ||
【主权项】：
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