[发明专利]一种铸造单晶或多晶类硅片的两步扩散预处理方法在审
| 申请号： | 202110168324.6 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113161446A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 许志 | 申请（专利权）人： | 福建新峰二维材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/042;H01L21/322;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 362100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铸造单晶或多晶类硅片的两步扩散预处理方法，它包括如下步骤，A.酸洗；B.高温沉积PSG；C.一次除杂；D.低温沉积PSG；E.二次除杂。本发明的目的在于提供一种铸造单晶或多晶类硅片的两步扩散预处理方法，其适合与铸造单晶或多晶类硅片的有效钝化，能够减少硅片体内和表面的缺陷密度，减少载流子的复合，提升钝化水平和载流子的传输水平，使得铸造单晶或多晶类硅片能按照现有的高效电池片制作流程进行太阳能电池生产，获得高效的电池转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铸造 多晶 硅片 扩散 预处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
