[发明专利]一种波长锁定的高效率半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110167009.1 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112787217A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 周坤;杜维川;何林安;李弋;高松信;唐淳 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/042;H01S5/12;H01S5/343 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 李想 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种波长锁定的高效率半导体激光器，属于半导体激光器件的技术领域，由N型衬底层往上依次为N型下限制层、N型下波导层、量子阱有源层、P型上波导层、插入层、P型上限制层、P型接触层，其中插入层的折射率与P型波导层相同且导电类型为N型，在慢轴方向设置形成电流限制层，同时在谐振方向设置形成光栅，通过刻蚀插入层形成电流注入和光栅，然后二次外延工艺生长P型上限制层、P型接触层。激光器后腔面蒸镀高反射膜，前腔面蒸镀抗反射膜，该激光器片上集成了光栅，同时形成较好的侧向电流限制，光栅和电流限制层采用同一步工艺，简化制备流程，具有波长锁定、电‑光效率高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波长 锁定 高效率 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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