[发明专利]倍频器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110161027.9 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112993054B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 梁士雄;吕元杰;顾国栋;宋旭波;王元刚;郭红雨;张立森;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/207;H01L29/06;H01L23/373;H01L23/367;H01L21/329 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 柳萌 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种倍频器及其制备方法，属于半导体器件技术领域，倍频器包括倍频单片，倍频单片包括GaN太赫兹二极管，GaN太赫兹二极管包括高阻硅衬底、外延生长于高阻硅衬底上的金刚石薄膜层、外延生长于金刚石薄膜层上的N+GaN层、外延生长于N+GaN层上的N‑GaN层、欧姆接触电极，以及肖特基接触电极。本发明提供的倍频器所采用的GaN太赫兹二极管利用金刚石材料介电常数低、热导率高的特性，能够提升器件散热能力，降低寄生电容和内部结温，从而提升器件的耐功率水平。 | ||
| 搜索关键词： | 倍频器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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