[发明专利]一种复合薄膜切割方法、复合薄膜及电子元器件在审
| 申请号： | 202110155076.1 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN112959526A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王金翠;刘桂银;张秀全;连坤;张涛;杨超;刘阿龙 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;B32B9/00;B32B9/04;B32B33/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种复合薄膜切割方法、复合薄膜及电子元器件，本申请提供的方法包括：根据衬底晶圆的解理结构，确定衬底晶圆的解理方向以及垂直于解理方向的垂直方向；根据复合薄膜的预期尺寸，在衬底晶圆上形成至少两个与解理方向平行的第一缺口；沿着第一缺口所在方向对初始复合薄膜施加压力，使得初始复合薄膜分裂，形成解理切割面；薄膜层处解理切割面的边缘损伤小于或等于0.5μm；根据规范尺寸，在解理切割面上形成至少两个与垂直方向平行的第二缺口；沿着第二缺口方向对分裂后的复合薄膜进行切割，形成第二切割面。本申请提供的方法可以获得平滑的切割面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 薄膜 切割 方法 电子元器件 | ||
【主权项】：
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