[发明专利]用于制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110153382.1 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN113223935A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 渡边整 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王伟;高伟 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成保护膜；在保护膜上形成抗蚀剂膜，使得该抗蚀剂膜包括如下区域：在所述区域处，所述抗蚀剂膜在所述源极电极和所述漏极电极之间从所述漏极电极侧到所述源极电极侧变得更厚；通过利用电子束照射该区域中的抗蚀剂膜并使该抗蚀剂膜显影而在抗蚀剂膜中形成第一开口；通过将其上形成有第一开口的抗蚀剂膜用作掩模来移除保护膜来形成暴露半导体衬底的上表面的第二开口；通过在形成所述第二开口之后进一步使得所述抗蚀剂膜显影，将所述第一开口朝向所述漏极电极侧扩展而在所述抗蚀剂膜形成所述第三开口；并且在第二开口和第三开口中形成栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
