[发明专利]一种用于碳化硅单晶生长的籽晶背部镀膜的装置与方法

摘要

一种用于碳化硅单晶生长的籽晶背部镀膜的装置与方法，它涉及籽晶处理的装置与方法。它是要解决现有的籽晶在SiC晶体生长过程中容易出现平面六方空洞缺陷的技术问题。该装置包括炉体、石墨坩埚、石墨支架、感应线圈、真空泵、测温仪和鼓泡器；石墨坩埚上、下开口放在炉体的下法兰上；石墨支架放置在石墨坩埚内。镀膜方法：将碳化硅籽晶片的Si面朝下放在石墨支架上，再覆盖石墨片；将炉体内抽真空后再充入氮气；升温使石墨坩埚的温度达到1200～1800℃；再通入四氯化钛和氢气进行反应，在碳化硅籽晶片的Si面上得到TiN薄膜。本发明无需进行大的设备改造，仅对现有的长晶炉进行改进，即可批量的进行籽晶镀膜，可用于镀膜领域。