[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110136014.6 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN113224145A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陈则 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 得到能够改善电容特性的半导体装置。在第1导电型的半导体衬底(1)的上表面侧形成有多个栅极沟槽(2)。栅极电极(3)填埋于多个栅极沟槽(2)。多个哑栅极沟槽(9)在半导体衬底(1)的上表面侧，以等间隔形成于相邻的栅极沟槽(2)之间。哑栅极电极(10)填埋于多个哑栅极沟槽(9)，连接于发射极电极(13)。相邻的栅极沟槽(2)和哑栅极沟槽(9)的间隔比相邻的哑栅极沟槽(9)彼此的间隔小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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