[发明专利]形成结构的方法、形成的结构及形成该结构的系统在审
| 申请号： | 202110135743.X | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN113215550A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 须佐吉雄;美山辽;杉浦博次;菊地良幸 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/02;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了用于形成包含碳材料的结构的方法和系统以及使用所述方法或系统形成的结构。示范性方法包括向反应室提供惰性气体以用于等离子体点火，向反应室提供碳前体，在反应室内形成等离子体以在衬底的表面上形成初始粘性碳材料，其中所述初始粘性碳材料变成碳材料，并且用活性物种处理碳材料以形成经处理的碳材料。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 结构 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
