[发明专利]集成电路元件在审
| 申请号： | 202110126917.6 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN113471189A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 黄乾燿;林文傑;陈国基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路元件包括在第一方向及与第一方向横向的第二方向上间隔布置的多个TAP单元。多个TAP单元包括至少一个第一TAP单元。第一TAP单元包括在第二方向上连续布置的两个第一端部区及第一中间区。第一中间区包括植入在第一类型的第一阱区中的第一类型的第一掺杂剂。将第一端部区布置在第二方向上的第一中间区的相对侧上。第一端部区中的每一者包括植入在第一阱区中的第二类型的第二掺杂剂，此第二类型不同于第一类型。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 元件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
