[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110125820.3 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112951960B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 刘旺平;梅劲;刘春杨;葛永晖;张武斌 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在衬底与n型层之间增加复合缓冲层，且复合缓冲层包括依次层叠的AlN子层及AlGaN子层。AlN子层包括层叠在衬底上的AlN膜及多个间隔分布在AlN膜上的AlN柱状凸起。AlGaN子层包括对应同轴覆盖在一个AlN柱状凸起的外周壁上的多个AlGaN筒，每个AlGaN筒的外径由每个AlGaN筒靠近AlN膜的一端至每个AlGaN筒远离AlN膜的一端减小，则相邻的AlGaN筒的外周壁之间会留存有类似倒锥形的间隙，阻止位错的延伸，这一空间接近衍射光栅的结构，也可以有效抑制光的横向传播，以提高发光二极管的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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