[发明专利]一种测试硅片少子寿命的方法和设备在审
| 申请号： | 202110121154.6 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112904173A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 代斌洲;张翔 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京远创理想知识产权代理事务所(普通合伙) 11513 | 代理人： | 郝杰 |
| 地址： | 710032 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测试硅片少子寿命的方法和设备，所述测试硅片少子寿命的方法包括步骤：S10、对硅片进行热处理，使得硅片正反两面生长均匀的薄氧化膜；S20、对硅片的正反两面进行电荷沉积；S30、按照设定的旋转角度θ旋转硅片；S40、对旋转后的硅片的正反两面进行电荷沉积；S50、重复执行步骤S30、S40，重复次数大于等于1次；S60、获得电荷沉积后的硅片少子寿命。本发明提供的测试硅片少子寿命的方法和设备能够准确地测定硅片的少子寿命，从而能够准确反应晶圆品质好坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 硅片 少子 寿命 方法 设备 | ||
【主权项】：
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