[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110120166.7 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN113629037A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 朴水贤;朴径范;白宗玟;李长镐;刘禹炅;郑德泳 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L23/48;H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张逍遥;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：晶体管，位于基底上；第一层间绝缘层，位于晶体管上；下互连线，位于第一层间绝缘层的上部中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；上互连线，位于第二层间绝缘层中，上互连线包括穿透蚀刻停止层以接触下互连线的通路部分；蚀刻停止图案，位于蚀刻停止层上并且与通路部分的第一侧壁接触。第二层间绝缘层在蚀刻停止图案和蚀刻停止层的其上没有蚀刻停止图案的顶表面上延伸。蚀刻停止图案的介电常数比蚀刻停止层的介电常数高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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