[发明专利]半导体结构有效
| 申请号: | 202110116929.0 | 申请日: | 2021-01-28 |
| 公开(公告)号: | CN112908994B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
| 发明(设计)人: | 王林 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08 |
| 代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郭凤杰 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种半导体结构,包括:焊盘结构,位于衬底上方;电容结构,位于衬底与焊盘结构之间,与焊盘结构相对设置,包括至少两个并联且间隔设置的电容单元,每个电容单元包括至少一个电容器件。本申请半导体结构可以有效提升焊盘结构所在区域的利用率。相对于传统地在芯片中空余的地方增加电容结构的设置方式,本申请可以有效防止芯片面积由于电容结构的设置而增大。同时,本申请在较大尺寸的焊盘结构下的每个电容单元的尺寸相对较小。而在工艺制作过程中,较小尺寸的电容单元的各相关膜层更容易进行均匀成膜。因此,本申请可以提高各相关膜层的成膜质量,从而使得电容结构的可靠性更高,从而使得相关电源的电源电压更加稳定。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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