[发明专利]一种薄膜封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110106846.3 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN112820844A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 周雄图;洪德铭;郭太良;张永爱;吴朝兴;林志贤;严群;杨尊先 | 申请（专利权）人： | 福州大学;闽都创新实验室 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 丘鸿超;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜封装结构及其制备方法，所述薄膜封装结构包括从下至上依次设置的有机聚合物衬底、柔性有机光电器件和具有周期起伏纳米结构的无机与有机交叠的薄膜封装层，所述薄膜封装层由无机阻隔层与有机阻隔层交替层叠形成，所述有机阻隔层通过具有周期起伏纳米结构的模板压印形成周期起伏纳米结构，再在其上制备无机阻隔层，交叠形成薄膜封装层。所述薄膜封装结构具有高水氧阻隔性能和弯曲性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学;闽都创新实验室，未经福州大学;闽都创新实验室许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110106846.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
