[发明专利]半导体装置在审
| 申请号: | 202110101432.1 | 申请日: | 2021-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN113270472A | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
| 发明(设计)人: | 林孟汉;贾汉中;杨世海;徐志安;林佑明 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/423;H01L27/108 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
| 摘要: | 一种改进的记忆体单元架构,其结构包括纳米结构场效应晶体管及至少部分在纳米结构场效应晶体管下方延伸的水平电容器。在一实施例中,半导体装置包括在半导体基板上方的通道结构、环绕通道结构的栅极结构、邻近栅极结构的第一源极/漏极区域,以及邻近第一源极/漏极区域的电容器,在横截面图中电容器在第一源极/漏极区域及栅极结构下方延伸。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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