[发明专利]一种Cr3有效

专利信息
申请号: 202110093901.X 申请日: 2021-01-23
公开(公告)号: CN112962060B 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 张金钰;安邦;王亚强;吴凯;刘刚;孙军 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C23C14/16 分类号: C23C14/16;C23C14/35;C23C14/02
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 范巍
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种Cr3Al/Zr多层薄膜及其制备方法,通过磁控溅射沉积法在洁净的硅基体上沉积制备Cr3Al/Zr多层薄膜,通过Ar+离子轰击靶材(阴极)与样品(Cr3Al/Zr)原子发生弹性碰撞,进一步产生碰撞级联,样品原子由此被激发并反向沉积到基体。Cr3Al原子和Zr原子依次沉积,交替形成不同调制周期不同界面结构的多层薄膜,而溅射所产生的二次电子等高密度等离子体在相互垂直的电磁场的联合作用下以旋轮线的形式循环运动,不与基体接触。因此电离效率高、沉积速率快。本发明不仅成功制备出不同界面结构的纳米多层薄膜,而且所得薄膜均匀致密,界面结构清晰,综合性能优良。
搜索关键词: 一种 cr base sub
【主权项】:
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