[发明专利]一种抛光垫及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202110086051.0 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112405337B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 黄学良;蔡长益;邱瑞英;桂辉辉;刘敏;罗乙杰;杨佳佳;张季平 | 申请（专利权）人： | 湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/26 | 分类号： | B24B37/26;B24B1/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430057 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种抛光垫及半导体器件的制造方法，该方法包括使用具有特定图案及物性参数的抛光垫对半导体晶片表面进行研磨的工序；本发明还公开了一种抛光垫，所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层硬度为40‑70D，密度为0.6‑0.9g/cm3，并且抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，抛光单元的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一个方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一个方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光单元的接触表面的面上具有通道，且包括第一通道和第二通道；本发明抛光垫限定的抛光单元面积比，有效面积比等参数与限定的抛光层物性参数相结合时，具有优异的综合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抛光 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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