[发明专利]一种片状Fe基合金催化生长碳纳米管阵列的制备方法有效
| 申请号： | 202110080774.X | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112875680B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 简贤;吴龙伟;张兴中;李元勋;苏桦;舒剑 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;江西国创产业园发展有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/16 | 分类号： | C01B32/16;B01J23/745;B01J23/755;B01J23/86;B01J23/889;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种片状Fe基合金催化生长碳纳米管阵列的制备方法，属于新材料技术、锂离子二次电池领域。包括以下步骤：1)片状Fe基合金置于CVD旋转炉内，通入氮气或者惰性气体；2)启动CVD旋转炉，炉内温度升至450～550℃，向炉内通入乙炔气体，反应30min后，停止乙炔气体的通入，得到长有碳纳米管阵列的Fe基合金；3)酸洗处理去除Fe基合金，得碳纳米管阵列。本发明通过控制工艺条件有效的调控碳纳米管阵列的生长，成功的实现了基底、缓冲层、催化剂层三合一制备出碳纳米管阵列；制备工艺条件温和，方法简单，有利于大规模的制备，具有很好的商业价值；制得的碳纳米管应用于锂离子电池负极，有良好的稳定性、较高的可逆比容量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 片状 fe 合金 催化 生长 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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