[发明专利]一种纳米花状Co3

摘要

本发明涉及超级电容器技术领域，且公开了一种纳米花状Co3O4修饰N,P掺杂多孔碳超级电容器，四氧化三钴优良的比容量能够提高基体的比容量，避免了碳材料电极的比容量低的问题，纳米花结构和多孔碳材料均具有大的比表面积和丰富的孔道结构，为电子和离子的传输提供优良的孔道结构和反应活性位点，均匀生长的碳基体上，有效的解决四氧化三钴在充放电过程中发生体积膨胀而导致的结构坍塌的问题，氮原子上的孤对电子和碳原子上的大π键产生共轭作用，提高多孔碳表面的化学吸附性和润湿性，磷元素使得多孔碳材料上的缺陷位点增多，无序化程度和活性位点有所提高，得到的复合材料具有优良的导电性和循环稳定性。