[发明专利]一种GaN厚膜的生长方法在审
| 申请号： | 202110075657.4 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN114864755A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 王建立;张义;李毓锋;王成新 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN厚膜的生长方法，属于光电子功率器件技术领域，本发明基于AIXTRON MOCVD设备，在双抛蓝宝石基板的一面上生长一定厚度GaN材料，再在双抛蓝宝石基板的另一面上生长同样厚度的GaN材料，蓝宝石基板两侧的GaN厚度相同，从而达到降低热膨胀，降低翘曲度和减小应力的目的，从而生长出平整的GaN厚膜，解决异质外延因应力大无法生长厚膜的问题，为GaN自支撑衬底的制备提供厚膜，应用于同质外延的功率器件、蓝光激光器等，满足高效新型大功率电力电子、光电等领域应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 生长 方法 | ||
【主权项】：
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