[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202110074347.0 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN113497056B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 服卷直美 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够抑制由存储器孔的形状引起的问题的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备积层膜，所述积层膜交替地包含多个电极层和多个绝缘层。所述装置还具备第1绝缘膜、电荷储存层、第2绝缘膜及第1半导体层，它们依序设置在所述积层膜内。所述装置还具备多个第1膜，所述多个第1膜设置于所述第1绝缘膜与所述多个绝缘层之间。并且，所述多个第1膜中的至少任一个包含第2半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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