[发明专利]用于高压应用的感测设备在审
| 申请号： | 202110072221.X | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN113285604A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | A·埃拉米库拉萨尼;M·格瑞斯伍尔德;R·泰勒 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335;H02M1/088;H02M1/08;H02M1/00;H05K1/18 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“用于高压应用的感测设备”。在一般方面，集成电路(IC)可包括低压区域，该低压区域包括被配置为控制电源转换器的低侧开关的低侧驱动电路。该IC还可包括具有第一导电性的浮动区域的高压区域，以及设置在该浮动区域中的高压感测设备。该高压感测设备可包括结型场效应晶体管(JFET)和分压器。该分压器可包括耦接到该JFET的漏极的第一端子、耦接到该JFET的栅极的第二端子、以及感测端子，该分压器被配置为在该感测端子上提供。该IC还可包括与该感测端子耦接的高侧驱动电路。高侧驱动电路可被配置为基于感测端子上的电压来控制电源转换器的高侧开关。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高压 应用 设备 | ||
【主权项】：
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