[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 202110068997.4 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN113257812A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 吴智琮 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件，是具有一多孔介电结构以降低导电特征之间的电容耦合。该半导体元件具有一基底、一栅极结构、二源极/漏极区、二多孔间隙子、一多孔盖层以及一隔离层；该栅极结构位在该基底上；该二源极/漏极区位在邻近该栅极结构的两侧处；该二多孔间隙子位在该源极/漏极区与该栅极结构之间，其中该二多孔间隙子的孔隙率介于大约25％到大约100％之间；该多孔盖层位在该栅极结构上，并位在该二多孔间隙子之间，其中该多孔盖层的一孔隙率是介于大约25％到大约100之间；该隔离层设置在该二多孔间隙子与该多孔盖层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
