[发明专利]一种光刻装置及曝光方法在审
| 申请号： | 202110067118.6 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112835269A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李艳丽;伍强 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹一凡 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光刻装置，包括对应分设于测量工位和曝光工位下方的两个短程台，所述两个短程台分别设于长程台的两端；通过所述长程台的水平旋转，实现两个短程台在所述测量工位和曝光工位之间的位置交换；所述长程台上固定非接触式电容传感器的一端，所述非接触式电容传感器的另一端分别固定在所述短程台上；根据非接触式电容传感器的电容值变化信息对短程台进行位置调整，确保旋转之后的短程台与长程台之间没有发生偏移。本发明中光刻装置可以确保旋转之后的短程台相对长程台的位置无偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 装置 曝光 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110067118.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
