[发明专利]基于穿透通孔的高集成度高屏蔽的变压器结构在审
| 申请号： | 202110066140.9 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114141472A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 杨力宏;朱樟明;单光宝;李国良;卢启军;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01F27/02 | 分类号： | H01F27/02;H01F27/29;H01F27/30;H01F27/36 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 蒋雪琴 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及基于穿透通孔的高集成度高屏蔽的变压器结构，具体而言，涉及变压器结构领域。本申请提供的基于穿透通孔的高集成度高屏蔽的变压器包括：基板、导电层、第一线圈和第二线圈；本申请的变压器结构的第一接地部、第一线圈、第二接地部和第二线圈之间电连接，并且与基板和多个导电单元形成了一种新的变压器结构，由于多个导电单元周期设置，使得通过多个导电单元绕成的第一线圈和第二线圈的难度降低，避免了耦合因子降低，从而造成变压器性能降低的问题，并且由于本申请的变压器结构依靠基板的支撑，工艺采用常规三维集成工艺，易于实现，且成本低，同时避免了变压器结构变形的影响，提高了可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 穿透 集成度 屏蔽 变压器 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110066140.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种快速鉴定植物叶绿体完整性的方法
- 下一篇：一种魔芋寡糖、其制备方法和用途
