[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种三维存储器及其制造方法。三维存储器包括：衬底；位于衬底上的包括多个块区域的堆叠结构，块区域包括沿平行于衬底的第一横向分布的核心区，及至少位于核心区一侧的阶梯区；设于至少两个相邻块区域之间且垂直贯穿堆叠结构的第一分隔结构和第二分隔结构，且第一分隔结构位于阶梯区，第二分隔结构位于核心区；其中，第一分隔结构包括第一主体部和自第一主体部延伸而出的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分之间具有间隙，至少部分第二分隔结构位于间隙内且与第一部分和/或第二部分相连接。本发明提供的三维存储器增大了刻蚀工艺窗口，避免第一和第二分隔结构连接处出现断点导致漏电。