[发明专利]镓极性面氮化镓材料及同质外延生长方法在审
| 申请号： | 202110060189.3 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112750689A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 薛军帅;杨雪妍;李蓝星;姚佳佳;孙志鹏;张赫朋;刘芳;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镓极性面氮化镓材料及同质外延生长方法，主要解决现有镓极性面氮化镓材料位错密度高、表面形貌差、背景载流子浓度高、生长工艺控制难度大和一致性差的问题。其材料结构，自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、氮化镓外延层(3)，其中过渡层采用InAlN或ScAlN或YAlN，衬底采用镓极性c面氮化镓单晶衬底。其制作步骤为：在衬底基片上，利用分子束外延方法生长厚度为1nm～10nm的过渡层；保持反应室温度、氮气流量和氮气射频源功率不变，在过渡层上生长氮化镓外延层。本发明材料结晶质量高、表面形貌光滑、背景载流子浓度低、生长工艺简单且一致性高，可用于制作高频微波功率器件和高速电力电子开关器件。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 氮化 材料 同质 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
