[发明专利]一种基于浅刻蚀的微结构金属图形剥离制备方法

摘要

本发明公开了一种基于浅刻蚀的微结构金属图形剥离制备方法，属于半导体光电子或微细加工领域。本发明将常规的曝光‑溅射/蒸发‑剥离工艺改变为曝光‑浅刻蚀‑溅射/蒸发‑剥离工艺，实现微结构金属图形的制备，工艺具有更好的可靠性和重复性。刻蚀工艺可以迅速的消除微小图形中残留的光刻胶底膜，避免了底膜引起的微图形的剥离。通过对刻蚀时间和参数的控制，在清除残胶的同时，可以清除材料表面吸附的各种杂质，并在材料表面形成很浅的刻蚀图形，使下一步溅射/蒸发的薄金属与材料表面结合的牢固，大幅降低了后续剥离工艺对金属微结构图形的损伤，保证了工艺的可靠性和重复性。