[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法在审
| 申请号： | 202110048589.2 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113161225A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 刘仁锁;特洛伊·乔纳森·贝克 | 申请（专利权）人： | 镓特半导体科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/78;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 200135 上海市浦东新区自由贸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请具体涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成二氧化硅层；于二氧化硅层的上表面形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个开口；于氢气及氨气的混合气氛下对所得结构进行热处理，以于开口的底部形成氮化硅层；于开口内及图形化掩膜层的上表面形成第一氮化镓层。上述实施例中的半导体结构的制备方法中，通过先在衬底上形成二氧化硅层，并进行热处理于图形化掩膜层中的开口暴露出的二氧化硅层的上表面形成氮化硅层，在形成第一氮化镓层时先于开口底部成核，氮化硅层的存在减少了晶格失配和热适配，可以提供氮化镓晶体的质量；氮化硅层的表面一般比较粗糙，更有利于第一氮化镓层成核。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 支撑 氮化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
