[发明专利]具有应力结构的MEMS薄膜在审
| 申请号： | 202110046972.4 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113125056A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | R·山卡尔;罗天财;A·文卡特桑 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;B81B3/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及具有应力结构的MEMS薄膜。盲孔被形成在半导体基底的底表面中，以限定从基底框架悬置的薄膜。该薄膜具有顶侧表面和底侧表面。应力结构被安装到薄膜的顶侧表面或底侧表面中的一个表面。应力结构引起薄膜弯曲，该弯曲限定薄膜的正常状态。压电电阻器由薄膜支撑。响应于施加的压力，薄膜被弯曲远离正常状态，并且压电电阻器的电阻变化是施加的压力的指示。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 结构 mems 薄膜 | ||
【主权项】：
暂无信息
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