[发明专利]一种硼掺杂石墨烯增强铜基复合材料及其制备方法有效
申请号: | 202110045838.2 | 申请日: | 2021-01-14 |
公开(公告)号: | CN112877562B | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 杨名;李铁军;刘文祎;王耀奇;侯红亮 | 申请(专利权)人: | 中国航空制造技术研究院 |
主分类号: | C22C9/00 | 分类号: | C22C9/00;C22C1/05;C22C1/10;B22F3/02;B22F3/14;C22F1/08;C22F1/02;C01B32/194 |
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摘要: | 本发明涉及金属基复合材料技术领域,具体公开了一种硼掺杂石墨烯增强铜基复合材料及其制备方法。本发明的铜基复合材料以硼掺杂石墨烯作为增强体,有效增加了铜与石墨烯的结合界面,改善了界面电子传输。其中,硼掺杂石墨烯是在完整的石墨烯片层上进行硼掺杂,基本不会破坏石墨烯的结构完整性。硼掺杂之后石墨烯的电子传输性能更好,同时可以在石墨烯与铜基底之间形成Cu‑B‑C键,兼顾界面结合和电子传输。本发明将石墨烯掺杂、铜原料与增强体混合、热处理等工艺相结合,成功制备了硼掺杂石墨烯均匀分布的铜基复合材料。实验证明,硼掺杂石墨烯增强铜基复合材料的拉伸强度不低于308.6MPa,电导率不低于90.6%IACS。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 石墨 增强 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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