[发明专利]电子器件及其制备方法在审
| 申请号: | 202110045112.9 | 申请日: | 2021-01-13 |
| 公开(公告)号: | CN112951902A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
| 发明(设计)人: | 张兆萱;王可心;何成;孙伟 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学;北京大学 |
| 主分类号: | H01L29/41 | 分类号: | H01L29/41;H01L21/285 |
| 代理公司: | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人: | 李伟波;韩德凯 |
| 地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本公开提供了一种电子器件,包括:第一电极,第一电极由单晶金属纳米颗粒构成;第二电极,第二电极由单晶金属纳米颗粒构成,其中,第一电极和第二电极在一个方向中排列,并且第一电极的一端与第二电极的一端相向设置,并且第一电极的一端与第二电极的一端形成小的间距(10nm以下);以及介电层,介电层由低介电常数材料形成,并且介电层至少设置在间距中。本公开还提供了一种10nm以下小间距电子器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词: | 电子器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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