[发明专利]降低表面缺陷影响的刻蚀方法有效
| 申请号： | 202110044463.8 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112864003B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 雷鑫;宋豪杰;高倩;袁娜 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张李静;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种降低表面缺陷影响的刻蚀方法。所述方法包括：提供表面包括凸起和/或凹陷的基底结构作为表面缺陷基底；在所述基底结构上形成第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层包括覆盖所述凸起和/或凹陷的第一表面；所述第一掩膜层还包括平坦的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对设置；在所述平坦的第二表面上形成第二掩膜层；刻蚀所述第二掩膜层和所述第一掩膜层，以形成垂直穿过所述基底结构的凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 表面 缺陷 影响 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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