[发明专利]降低外延片翘曲度的方法及外延片在审
| 申请号： | 202110043648.7 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112802743A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;劳兴超;张珂;莫炜静;刘斌芝 | 申请（专利权）人： | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人： | 孙凯乐 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种降低外延片翘曲度的方法及外延片，该方法包括：获取外延片，外延片包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底上依次集成有无掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、量子阱层以及P型氮化镓层；将外延片进行切割，使得外延片表面形成两端延伸至外延片边缘的沟槽，其中，沟槽的深度小于外延片的厚度。该外延片利用降低外延片翘曲度的方法形成。在翘曲度不符合要求的外延片上切割，使得外延片上形成有沟槽，沟槽的两端均与外延片的边缘连接，使得外延片上的部分应力能够通过沟槽释放，进而能够降低外延片上的翘曲度。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 外延 曲度 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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