[发明专利]存储器装置在审
| 申请号： | 202110041068.4 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN113270123A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 任都英 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C7/18;G11C8/08;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张川绪;黄晓燕 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了存储器装置。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括连接到字线和位线的存储器单元。每个存储器单元包括开关元件和存储器元件，并且具有阈值电压在第一电压范围内的第一状态或阈值电压在比第一电压范围低的第二电压范围内的第二状态。存储器控制器被配置为：使用比第一电压范围的中值高的第一读取电压对存储器单元执行第一读取操作，将在第一读取操作期间截止的第一缺陷存储器单元编程到第一状态，使用比第二电压范围的中值低的第二读取电压对存储器单元执行第二读取操作，并且对在第二读取操作期间导通的第二缺陷存储器单元执行修复操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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