[发明专利]一种铜钾锌锡硫吸收层的制备方法有效
| 申请号： | 202110039924.2 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112802924B | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 庄大明;赵明;任国铵;王晨;李羽娴;董梁正;陶圣叶;仝浩;王汉鹏 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区双清路*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铜钾锌锡硫吸收层的制备方法，属于光电材料制备技术领域。本发明直接利用铜钾锌锡硫靶材经真空磁控溅射制备铜钾锌锡硫吸收层预制层，再经退火即可得到铜钾锌锡硫吸收层吸收层，钾元素分布均匀，操作简单，工艺稳定性高，生产成本低。具体的，与现有技术相比，本发明提供的方法减少了溅射后沉积KF的步骤，同时K元素能够均匀分布于最终所得铜钾锌锡硫吸收层吸收层中，K元素钝化缺陷、促进晶粒生长的优势得以在整个铜钾锌锡硫吸收层中均匀体现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜钾锌锡硫 吸收 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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