[发明专利]基于半导体的温度传感器在审
申请号: | 202110035237.3 | 申请日: | 2021-01-12 |
公开(公告)号: | CN113108933A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | M·赫尔采格;T·马蒂克 | 申请(专利权)人: | 诺基亚技术有限公司 |
主分类号: | G01K7/22 | 分类号: | G01K7/22 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开的实施例涉及用于感测温度的装置及感测温度的方法。一种装置可以包括晶体管、电容器和运算放大器。所述晶体管可以具有施加到所述晶体管的栅极的亚阈值电压。当第一开关和第二开关被闭合并且第三开关被断开时,所述电容器被配置为存储所述晶体管的第一栅源电压。当所述晶体管以第一偏置电流被偏置时,所述电容器可以被充电至所述晶体管的第一栅源电压。当所述晶体管以第二偏置电流被偏置时,所述运算放大器可以被配置为确定存储在所述电容器中的所述第一栅源电压与所述晶体管的第二栅源电压之间的电压差。当所述第三开关被闭合并且所述第一开关和所述第二开关被断开时,所述运算放大器可以确定所述电压差。所述电压差可以对应于所述晶体管的温度。 | ||
搜索关键词: | 基于 半导体 温度传感器 | ||
【主权项】:
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