[发明专利]一种过渡金属掺杂富缺陷的二硫化钼及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202110034606.7 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN112844420A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 尹双凤;胡彪;陈浪;申升;郭君康;谢庭亮;蒋诗扬;王丙昊 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | B01J27/051 | 分类号： | B01J27/051;C01C1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410082 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种过渡金属掺杂富缺陷的二硫化钼及其制备方法和应用，所述过渡金属掺杂富缺陷的二硫化钼的分子式为M/MoS |
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| 搜索关键词： | 一种 过渡 金属 掺杂 缺陷 二硫化钼 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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