[发明专利]三维存储器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该三维存储器包括栅极堆叠结构，栅极堆叠结构包括多层控制栅结构和多层隔离层，控制栅结构和隔离层沿远离衬底的方向交替层叠设置，栅极堆叠结构中具有贯穿至衬底的沟道结构和共源极，在远离衬底的方向上，多层控制栅结构包括最外侧的顶部选择栅，顶部选择栅的厚度为H1，多层控制栅结构中其余各控制栅结构的厚度为H2，H1＞H2；隔离层包括与顶部选择栅相邻的顶部隔离层，顶部隔离层位于顶部选择栅朝向衬底的一侧，顶部隔离层的厚度为H3，多层隔离层中其余各隔离层的厚度为H4，H3＞H4。上述三维存储器能够减少栅极堆叠结构中的堆叠层数，减少了工艺步骤数和工艺难度，达到节省成本的目的。