[发明专利]低磁场域下高应变灵敏度的磁致伸缩材料及其制备方法

摘要

本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种低磁场域下高应变灵敏度的磁致伸缩材料及其制备方法。本发明在具有高磁致伸缩系数的钴铁氧体的基础上，首次采用Mg2+和Zr4+复合取代CoFe2O4，通过取代元素的选取以及配方比例选择，实现不同占位，其中Mg2+倾向于同时占据四面体位点和八面体位点，Zr4+倾向于取代四面体位点，在两个位点的共同取代的作用下实现了钴铁氧体在低磁场域下的3.3×10‑9A‑1m～4.3×10‑9A‑1m的应变灵敏度，极大的提升了当前低磁场域下钴铁氧体的应变灵敏度，使其具有更好的应用前景，从而为磁传感器在更低磁场下工作的可能提供了基础。