[发明专利]基于质子辐照处理的金刚石基InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 202110028079.9 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN112736135B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;许文强;贠博祥;张金风;彭利萍;张雅超;周弘;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/02;H01L23/373 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于金刚石衬底的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，主要解决现有同类器件界面结合强度差、界面热阻高、工艺流程复杂的问题。其自下而上包括：金刚石衬底(1)、GaN沟道层(2)和InAlN势垒层(3)，InAlN势垒层(3)上同时设有源极(4)、漏极(5)和栅极(6)，该衬底采用晶面取向为(111)晶向的金刚石，以提高器件的散热能力；该GaN沟道层的厚度为20‑30nm；该InAlN势垒层的Al组分为80％‑85％，厚度为10‑15nm。本发明增强了器件的散热能力，降低了界面热阻，提高了器件的工作寿命和稳定性，简化了工艺条件，可用于高频、大功率微波毫米波器件的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 质子 辐照 处理 金刚石 inaln gan 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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