[发明专利]一种低层错能面心立方结构高熵形状记忆合金及其制备方法有效
| 申请号： | 202110023664.X | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112853230B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 赖敏杰;张恒;李金山;薛祥义;唐斌;陈彪;赵瑞峰 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C22C38/38 | 分类号： | C22C38/38;C22C38/34;C22C30/00;C21D1/26;C21D1/74;C21D1/18;C21C5/52;C21D8/02 |
| 代理公司： | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人： | 万文会 |
| 地址： | 710200 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种低层错能面心立方结构高熵形状记忆合金及其制备方法，所述合金的组成元素及原子百分数为：28％～32％Mn，8％～12％Cr，9％～12％Si，余量为Fe和不可避免的杂质元素；其中，所述合金中Mn、Cr、Si的总原子百分数不低于50％；所述合金中Fe和Mn的原子百分数之比不低于1.5；所述制备方法包括感应熔炼、均匀化退火处理、热轧处理及固溶处理步骤，其中所述固溶处理过程是在氩气保护下经1000～1100℃保温1～2h后水冷淬火。本申请提供的高熵形状记忆合金的原料成本低，易于制备和加工，并同时具有高强度、高塑性和良好的形状记忆效应，在舰艇自修复蒙皮、大型管道套筒接头、智能混凝土结构等领域有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低层 错能面心 立方 结构 形状 记忆 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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